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為挑戰臺積電,三星電子宣布未來(lái)投資133萬(wàn)億韓元在半導體業(yè)務(wù)

該投資計劃有望幫助三星實(shí)現到2030年成為世界領(lǐng)先的存儲半導體和邏輯芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導者這一目標。三星還計劃在研發(fā)和生產(chǎn)方面創(chuàng )造15,000個(gè)就業(yè)崗位,以提高其技術(shù)實(shí)力。
   為挑戰臺積電在芯片代工領(lǐng)域的龍頭地位。近日,三星電子宣布未來(lái)十年將投資133萬(wàn)億韓元(1160億美元),其中韓國國內研發(fā)經(jīng)費將占73萬(wàn)億韓元,生產(chǎn)基礎設施占60萬(wàn)億韓元,以擴大其邏輯芯片和芯片代工業(yè)務(wù)。
 
  該投資計劃有望幫助三星實(shí)現到2030年成為世界領(lǐng)先的存儲半導體和邏輯芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導者這一目標。三星還計劃在研發(fā)和生產(chǎn)方面創(chuàng )造15,000個(gè)就業(yè)崗位,以提高其技術(shù)實(shí)力。
 
  臺灣地區《經(jīng)濟日報》對此報道稱(chēng),這展現了三星搶占全球半導體市場(chǎng)的決心,力圖同時(shí)稱(chēng)霸數據存儲芯片和邏輯芯片市場(chǎng);三星的計劃代表三星不僅要在生產(chǎn)先進(jìn)芯片處理器方面杠上英特爾及高通,也計劃在芯片代工領(lǐng)域追趕臺積電。
 
  根據這一計劃,到2030年,對邏輯半導體的研發(fā)和設施的投資預計將達到每年平均11萬(wàn)億韓元(約合96億美元)。
 
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