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Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商 源于韓國品牌英文縮寫"HY"海力士為原來的現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士.代表理事:權(quán)吾哲(???)。

 

海力士半導(dǎo)體在1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導(dǎo)體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導(dǎo)體,從現(xiàn)代集團(tuán)分離出來。2004年10月將系統(tǒng)IC業(yè)務(wù)出售給花旗集團(tuán)，成為專業(yè)的存儲(chǔ)器制造商。

 

海力士半導(dǎo)體是世界第二大DRAM制造商，也在整個(gè)半導(dǎo)體公司中占第九位。目前在韓國有4條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸生產(chǎn)線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產(chǎn)線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處于第二位，中國市場占有率處于第一位. 目前在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工21000人(含海外員工).

 

海力士(Hynix)半導(dǎo)體作為無形的基礎(chǔ)設(shè)施，通過半導(dǎo)體，竭盡全力為客戶創(chuàng)造舒適的生活環(huán)境。目前，海力士半導(dǎo)體致力生產(chǎn)以DRAM和NAND Flash為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品。

 

海力士半導(dǎo)體以超卓的技術(shù)和持續(xù)不斷的研究投資為基礎(chǔ)，每年都在開辟已步入納米級(jí)超微細(xì)技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體技術(shù)的嶄新領(lǐng)域。

 

另外，海力士半導(dǎo)體不僅標(biāo)榜行業(yè)最高水平的投資效率，2006年更創(chuàng)下半導(dǎo)體行業(yè)世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團(tuán)等，正在展現(xiàn)意義非凡的增長勢(shì)力。海力士半導(dǎo)體不僅作為給國家經(jīng)濟(jì)注入新鮮血液的發(fā)展動(dòng)力，完成其使命，同時(shí)不斷追求與社會(huì)共同發(fā)展的相生經(jīng)營。海力士半導(dǎo)體為發(fā)展成為令顧客和股東滿意的先導(dǎo)企業(yè)，將盡心盡責(zé)，全力以赴。

1983年2月  創(chuàng)立現(xiàn)代電子株式會(huì)社

                   公司概要展望商業(yè)領(lǐng)域主要?dú)v程可持續(xù)經(jīng)營

                   持續(xù)經(jīng)營報(bào)告書倫理經(jīng)營

                   倫理經(jīng)營宣言倫理綱領(lǐng)組織介紹實(shí)踐體系產(chǎn)業(yè)保安方針在線舉報(bào)公司標(biāo)志

1984年        9月完成FAB II-A

1985年        10月開始批量生產(chǎn)256K的DRAM

1986年        4月設(shè)立半導(dǎo)體研究院

                    6月舉行第一次員工文化展覽會(huì)"Ami Carnical"

1988年        1月開發(fā)1M的DRAM

                    11月 在歐洲當(dāng)?shù)卦O(shè)立公司(HEE)

1989年        9月 開發(fā)4M的DRAM

                   11月 完成FAB III

1991年3月   開發(fā)16M的DRAM

1992年11月 開發(fā)64M的DRAM

1993年        8月 接管Maxtor公司(美國HDD生產(chǎn)公司)

                    9月 獲得半導(dǎo)體類ISO9001證書

1995年10月 在世界上首次開發(fā)256M的SDRAM

                    在美國俄勒岡州設(shè)立半導(dǎo)體工廠

1996年12月 公司股票上市

1997年5月   在世界上首次開發(fā)1G SDRAM

1998年9月   開發(fā)64M的DDR SDRAM

1999年         3月 出售專業(yè)的半導(dǎo)體組裝公司(ChipPAC)

                    10月 合并LG半導(dǎo)體有限公司，成立現(xiàn)代半導(dǎo)體株式會(huì)社

2000            4月 剝離電子線路設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)'Hyundai Autonet'

                    8月 剝離顯示屏銷售業(yè)務(wù)'Hyundai Image Quest'

2001            3月 公司更名為"Hynix半導(dǎo)體有限公司"

                    5月 剝離通信服務(wù)業(yè)務(wù)'Hyundai CuriTel'

                          剝離網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)'Hyundai Networks'

                    7月 剝離CDMA移動(dòng)通信設(shè)備制造業(yè)務(wù)'Hyundai Syscomm'

                    8月 完成與現(xiàn)代集團(tuán)的最終分離

                    9月 開發(fā)世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

2002            3月 開發(fā)1G DDR DRAM模塊

                    6月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運(yùn)用于高終端客戶

                    10月 開發(fā)0.10微米、512MB DDR

                    11月 出售HYDIS， TFT-LCD業(yè)務(wù)部門

2003            3月 發(fā)表世界上第一個(gè)商用級(jí)的mega-level FeRAM

                    4月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協(xié)議合作生產(chǎn)NAND閃存

                    5月 采用0.10微米工藝技術(shù)投入生產(chǎn)

                    超低功率256Mb SDRAM投入批量生產(chǎn)12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰(zhàn)略性MOU

                    7月 宣布在世界上首次發(fā)表DDR500

                    8月 宣布發(fā)表在DRAM行業(yè)的第一個(gè)1Gb DDR2問世。

2004            2月 成功開發(fā)NAND閃存

                    3月 行業(yè)首次開發(fā)超高速DDR SDRAM 550MHz

                          1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認(rèn)證

                    6月 簽訂非內(nèi)存事業(yè)營業(yè)權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議

                    7月 獲得公司成立以來最大的季度營業(yè)利潤

                    8月 與中國江蘇省無錫市簽訂關(guān)于在中國建廠合作協(xié)議11月 與意法半導(dǎo)體公司(STMicroelectronics)簽訂                            關(guān)于在中國合資建廠的協(xié)議

2005

1月 與臺(tái)灣茂德科技簽訂戰(zhàn)略性合作伙伴協(xié)議

3月 發(fā)布2004年財(cái)務(wù)報(bào)表，實(shí)現(xiàn)高銷售利潤

4月 海力士-意法半導(dǎo)體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮

7月 提前從企業(yè)重組完善協(xié)議中抽身而出

11月 業(yè)界最先推出JEDEC標(biāo)準(zhǔn)8GB DDR2 R-DIMM

12月 世界最先開發(fā)512Mb GDDR4、業(yè)界最高速度及最高密度Graphics DRAM

2006

1月 發(fā)表與M-Systems公司的DOC H3共同開發(fā)計(jì)劃(閃存驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置的新型DiskOnChip)3月 業(yè)界最先獲得英特爾對(duì)80nm 512Mb DDR2 DRAM的產(chǎn)品認(rèn)證

9月 300mm研究生產(chǎn)線下線

10月 創(chuàng)下創(chuàng)立以來最高業(yè)績

        通過海力士ST半導(dǎo)體(株)的竣工，構(gòu)建國際性生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)

12月   業(yè)界最先發(fā)表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎(chǔ)模塊

           開發(fā)出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

 2006

年創(chuàng)下最高業(yè)績及利潤

 2007

1月 開發(fā)出以"晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Package)"技術(shù)為基礎(chǔ)的超高速存儲(chǔ)器模塊

3月 開發(fā)出世界最高速ECC Mobile DRAM

      發(fā)表"生態(tài)標(biāo)記(ECO Mark)"

      與Toshiba簽署半導(dǎo)體特許商戶許可證及供應(yīng)合同

      與SanDisk就特許商戶許可證合同達(dá)成協(xié)議及簽署關(guān)于對(duì)x4技術(shù)建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)

      金鐘甲就任新任代表理事、社長

4月 DOC H3開始大量生產(chǎn)

      在韓國清州300mm設(shè)施開工

      實(shí)現(xiàn)最高水平的營業(yè)利潤率

5月 業(yè)界最先獲得關(guān)于DDR3 DRAM的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證

7月 發(fā)表企業(yè)中長期總體規(guī)劃

8月 開發(fā)出業(yè)界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

9月 以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發(fā)NAND閃存MCP

10月  與Ovonyx公司簽署關(guān)于PRAM的技術(shù)及許可證合同

         與環(huán)境運(yùn)動(dòng)聯(lián)合(韓國)簽署關(guān)于在環(huán)境管理上進(jìn)行合作的合同

11月 WTO做出判決海力士進(jìn)口芯片相關(guān)報(bào)復(fù)性關(guān)稅一案，日本敗訴與SiliconFile公司簽署CIS事業(yè)合作協(xié)議獲得對(duì)1Gb DDR2 DRAM的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證業(yè)界最先開發(fā)1Gb GDDR5 DRAM

12月 成功發(fā)行國際可兌換券(global convertible notes)

2008

1月 發(fā)表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產(chǎn)品認(rèn)證

2月 引進(jìn)2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

5月 與ProMOS公司簽署關(guān)于加強(qiáng)長期戰(zhàn)略性合作的修改案

8月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工

       世界最先推出使用metaRAMtm 技術(shù)的16 GB 2-Ran kR-DIMM

       為引進(jìn)嶄新而創(chuàng)新性NAND閃存存儲(chǔ)器產(chǎn)品及技術(shù)的Numonyx及海力士的努力擴(kuò)大

11月 引進(jìn)業(yè)界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

12月 世界最先開發(fā)2Gb Mobile DRAM

2009年

1月 世界最先獲得關(guān)于以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎(chǔ)的超高速DDR3的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證

2月 世界最先開發(fā)44nm DDR3 DRAM

3月 世界最先發(fā)表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產(chǎn)品認(rèn)證

4月 世界最先開發(fā)低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

 

 

1984年9月 完成FAB II-A

1985年10月 開始批量生產(chǎn)256K的DRAM

1986年

4月 設(shè)立半導(dǎo)體研究院

6月 舉行第一次員工文化展覽會(huì)"Ami Carnical" 

1988年

1月 開發(fā)1M的DRAM

11月 在歐洲當(dāng)?shù)卦O(shè)立公司(HEE)

1989年

9月 開發(fā)4M的DRAM

11月 完成FAB III

1991年

3月 開發(fā)16M的DRAM

1992年

11月 開發(fā)64M的DRAM

1993年 

8月 接管Maxtor公司(美國HDD生產(chǎn)公司)

9月 獲得半導(dǎo)體類ISO9001證書

1995年 

10月 在世界上首次開發(fā)256M的SDRAM

        在美國俄勒岡州設(shè)立半導(dǎo)體工廠

1996年12月 公司股票上市

1997年5月 在世界上首次開發(fā)1G SDRAM

1998年9月 開發(fā)64M的DDR SDRAM

1999年

3月 出售專業(yè)的半導(dǎo)體組裝公司(ChipPAC)

10月 合并LG半導(dǎo)體有限公司，成立現(xiàn)代半導(dǎo)體株式會(huì)社

2000

4月 剝離電子線路設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)'Hyundai Autonet'

8月 剝離顯示屏銷售業(yè)務(wù)'Hyundai Image Quest'

2001

9月 開發(fā)世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

2002

3月 開發(fā)1G DDR DRAM模塊

6月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運(yùn)用于高終端客戶
10月 開發(fā)0.10微米、512MB DDR

2003

3月 發(fā)表世界上第一個(gè)商用級(jí)的mega-level FeRAM

4月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協(xié)議合作生產(chǎn)NAND閃存

5月 采用0.10微米工藝技術(shù)投入生產(chǎn)

      超低功率256Mb SDRAM投入批量生產(chǎn)12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰(zhàn)略性MOU

7月 宣布在世界上首次發(fā)表DDR500

8月 宣布發(fā)表在DRAM行業(yè)的第一個(gè)1Gb DDR2問世。

2004

2月 成功開發(fā)NAND閃存

3月 行業(yè)首次開發(fā)超高速DDR SDRAM 550MHz

      1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認(rèn)證

7月 獲得公司成立以來最大的季度營業(yè)利潤

8月 與中國江蘇省無錫市簽訂關(guān)于在中國建廠合作協(xié)議11月 與意法半導(dǎo)體公司(STMicroelectronics)簽訂關(guān)于在中國合資建廠的協(xié)議

2005

3月 發(fā)布2004年財(cái)務(wù)報(bào)表，實(shí)現(xiàn)高銷售利潤

4月 海力士-意法半導(dǎo)體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮

11月 業(yè)界最先推出JEDEC標(biāo)準(zhǔn)8GB DDR2 R-DIMM

12月 世界最先開發(fā)512Mb GDDR4、業(yè)界最高速度及最高密度Graphics DRAM

2006

1月 發(fā)表與M-Systems公司的DOC H3共同開發(fā)計(jì)劃(閃存驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置的新型DiskOnChip)3月 業(yè)界最先獲得英特爾對(duì)80nm 512Mb DDR2 DRAM的產(chǎn)品認(rèn)證

9月 300mm研究生產(chǎn)線下線

10月 創(chuàng)下創(chuàng)立以來最高業(yè)績

       通過海力士ST半導(dǎo)體(株)的竣工，構(gòu)建國際性生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)

12月  業(yè)界最先發(fā)表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎(chǔ)模塊

          開發(fā)出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

2006

年創(chuàng)下最高業(yè)績及利潤

2007

1月 開發(fā)出以"晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Package)"技術(shù)為基礎(chǔ)的超高速存儲(chǔ)器模塊

3月 開發(fā)出世界最高速ECC Mobile DRAM

      發(fā)表"生態(tài)標(biāo)記(ECO Mark)"

      與Toshiba簽署半導(dǎo)體特許商戶許可證及供應(yīng)合同

      與SanDisk就特許商戶許可證合同達(dá)成協(xié)議及簽署關(guān)于對(duì)x4技術(shù)建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)
4月 DOC H3開始大量生產(chǎn)

      在韓國清州300mm設(shè)施開工

      實(shí)現(xiàn)最高水平的營業(yè)利潤率

5月 業(yè)界最先獲得關(guān)于DDR3 DRAM的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證

8月 開發(fā)出業(yè)界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

9月 以24層疊芯片(stacked chips)，世界最先開發(fā)NAND閃存MCP

10月   與Ovonyx公司簽署關(guān)于PRAM的技術(shù)及許可證合同

          與環(huán)境運(yùn)動(dòng)聯(lián)合(韓國)簽署關(guān)于在環(huán)境管理上進(jìn)行合作的合同

11月 WTO做出判決海力士進(jìn)口芯片相關(guān)報(bào)復(fù)性關(guān)稅一案，日本敗訴與SiliconFile公司簽署CIS事業(yè)合作協(xié)議獲得對(duì)1Gb DDR2 DRAM的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證業(yè)界最先開發(fā)1Gb GDDR5 DRAM

12月 成功發(fā)行國際可兌換券(global convertible notes)

2008

1月 發(fā)表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產(chǎn)品認(rèn)證

2月 引進(jìn)2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

5月 與ProMOS公司簽署關(guān)于加強(qiáng)長期戰(zhàn)略性合作的修改案

8月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工

       世界最先推出使用metaRAMtm 技術(shù)的16 GB 2-Ran kR-DIMM

       為引進(jìn)嶄新而創(chuàng)新性NAND閃存存儲(chǔ)器產(chǎn)品及技術(shù)的Numonyx及海力士的努力擴(kuò)大

11月 引進(jìn)業(yè)界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

12月 世界最先開發(fā)2Gb Mobile DRAM

2009年

1月 世界最先獲得關(guān)于以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎(chǔ)的超高速DDR3的英特爾產(chǎn)品認(rèn)證

2月 世界最先開發(fā)44nm DDR3 DRAM

3月 世界最先發(fā)表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產(chǎn)品認(rèn)證

4月 世界最先開發(fā)低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM