ASML的EUV光刻機已經(jīng)成為7nm以下制程的關(guān)鍵了，三星、臺積電、Intel都在購買(mǎi)單價(jià)高達10億元的EUV光刻機用于生產(chǎn)。除了CPU之外，內存工藝也會(huì )逐步導入EUV光刻機，三星之后SK海力士也要這么做。
據韓國媒體報道，全球第二大DRAM內存供應商SK海力士已經(jīng)在研發(fā)1a nm工藝的內存，內部代號“南極星”，具體節點(diǎn)大概在15nm，預計會(huì )引入EUV光刻機生產(chǎn)。
對內存來(lái)說(shuō)，它跟CPU邏輯工藝一樣面臨著(zhù)需要微縮的問(wèn)題，EUV光刻機可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本，并提高性能。
不過(guò)內存使用EUV工藝問(wèn)題也不少，首要問(wèn)題就是EUV光刻機售價(jià)太高，10億一臺，還要考慮到維護費用，所以初期要承擔不小的成本壓力。
目前SK海力士最先進(jìn)的內存工藝主要是1y、1z nm，今年下半年這兩種工藝將占到40%的產(chǎn)能比重。
3月初，三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開(kāi)始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會(huì )使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻番。
01月07日 18:14
