10月8日消息，臺灣地區半導體制造商臺積電日前透露，該公司6納米制程技術(shù)明年第一季度進(jìn)入試產(chǎn)，明年年底前量產(chǎn)。
臺積電稱(chēng)，其極紫外光（EUV）微影技術(shù)之7納米強效版(N7+)制程已協(xié)助客戶(hù)產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。導入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于該公司成功的7納米制程之上，為6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎。
N7+的量產(chǎn)速度為史上量產(chǎn)速度最快的制程之一，于2019年第二季開(kāi)始量產(chǎn)，在7納米制程技術(shù)（N7）量產(chǎn)超過(guò)一年時(shí)間的情況下，N7+良率與N7已相當接近。
N7+同時(shí)提供了整體效能的提升，N7+的邏輯密度比N7提高了15％至20％，并同時(shí)降低了功耗。臺積電快速布建產(chǎn)能以滿(mǎn)足多個(gè)客戶(hù)對于N7+的需求。
臺積電表示，EUV微影技術(shù)使公司能夠持續推動(dòng)晶片微縮，因EUV的較短波長(cháng)能夠更完美地解析先進(jìn)制程的設計。臺積電的EUV設備已達成熟生產(chǎn)的實(shí)力，EUV設備機臺也達到大量生產(chǎn)的目標，在日常運作的輸出功率都大于250瓦。
臺積電稱(chēng)，N7+的成功經(jīng)驗是未來(lái)先進(jìn)制程技術(shù)的基石。臺積電6納米制程技術(shù)（N6）將于2020年第一季進(jìn)入試產(chǎn)，并于年底前進(jìn)入量產(chǎn)。隨著(zhù)EUV微影技術(shù)的進(jìn)一步應用，N6的邏輯密度將比N7提高18％，而N6憑借與N7完全相容的設計法則，也可大幅縮短客戶(hù)產(chǎn)品上市的時(shí)間。
臺積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導體制造廠(chǎng)，客戶(hù)包括蘋(píng)果、高通等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市，股票代碼為2330，另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號為T(mén)SM。
01月07日 18:14
