4月16日消息三星官網(wǎng)發(fā)布消息稱(chēng)，三星電子已經(jīng)成功完成5nm EUV開(kāi)發(fā)，以實(shí)現芯片的更大面積擴展和帶來(lái)超低功耗。
三星電子稱(chēng)，其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)已經(jīng)完成，現在可以為客戶(hù)提供樣品。通過(guò)在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節點(diǎn)，三星稱(chēng)再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)的領(lǐng)導地位。
與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，從而能夠擁有更多創(chuàng )新的標準單元架構。
三星稱(chēng)，5nm的另一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是可以將所有7nm知識產(chǎn)權（IP）重用到5nm。因此，7nm客戶(hù)過(guò)渡到5nm將極大地受益于降低的遷移成本，預先驗證的設計生態(tài)系統，從而縮短他們的5nm產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間。
“成功完成5nm開(kāi)發(fā)，我們已經(jīng)證明了我們在基于EUV的節點(diǎn)中的能力，”三星電子鑄造業(yè)務(wù)執行副總裁Charlie Bae說(shuō)。“為響應客戶(hù)對先進(jìn)工藝技術(shù)不斷增長(cháng)的需求，以區分其下一代產(chǎn)品，我們繼續致力于加速基于EUV技術(shù)的批量生產(chǎn)。”
2018年10月，三星宣布準備并初步生產(chǎn)7nm工藝，這是其首個(gè)采用EUV光刻技術(shù)的工藝節點(diǎn)。該公司已提供業(yè)界首批基于EUV的新產(chǎn)品的商業(yè)樣品，并于今年初開(kāi)始量產(chǎn)7nm工藝。
此外，三星正在與6nm的客戶(hù)合作，這是一個(gè)定制的基于EUV的工藝節點(diǎn)，并且已經(jīng)收到了其首款6nm芯片的流片產(chǎn)品。
三星代工廠(chǎng)基于EUV的工藝技術(shù)目前正在韓國華城的S3生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn)。此外，三星將把其EUV產(chǎn)能擴大到華城的新EUV生產(chǎn)線(xiàn)，該生產(chǎn)線(xiàn)預計將在2019年下半年完成，并從明年開(kāi)始增產(chǎn)。
01月07日 18:14
