三星電子有限公司（Samsung Electronics）今日宣布，該公司在業(yè)界首次開(kāi)發(fā)了第三代10納米級（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）。
自開(kāi)始大規模生產(chǎn)第二代10納米級8GB DDR4以來(lái)，短短16個(gè)月內，三星電子在不使用Extreme Ultra-Violet（極紫外線(xiàn)光刻技術(shù)工藝，一種更復雜的芯片制造技術(shù)）處理的情況下開(kāi)發(fā)10納米級（1z-nm）8GB第三代DDR4，意味著(zhù)三星進(jìn)一步提高了DRAM的擴展極限，在這一領(lǐng)域取得了領(lǐng)先地位。
隨著(zhù)10納米級成為業(yè)界最小的內存處理節點(diǎn)，三星現在已經(jīng)準備好用其新的10納米級（1z-nm）DDR4-DRAM來(lái)滿(mǎn)足日益增長(cháng)的市場(chǎng)需求，其生產(chǎn)效率比以前的1Y納米級版本高20%以上。
據悉，10納米級（1z-nm）8GB第三代DDR4的批量生產(chǎn)將于今年下半年開(kāi)始，以適應下一代企業(yè)服務(wù)器和有望在2020年推出的高端PC。
三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁李榮培（Jung Bae Lee）表示：“我們致力于突破技術(shù)領(lǐng)域的最大挑戰，推動(dòng)實(shí)現更大的創(chuàng )新。很高興能再次為下一代DRAM的穩定生產(chǎn)奠定基礎，確保性能和能源效率的最大化。隨著(zhù)我們推出10納米級（1z-nm）的DRAM系列產(chǎn)品，三星將繼續致力于支持其全球客戶(hù)部署尖端系統，并推動(dòng)高端內存市場(chǎng)的增長(cháng)。”
三星開(kāi)發(fā)的10納米級（1z-nm）DRAM為全球IT加快朝著(zhù)下一代DRAM接口（如DDR5、LPDDR5和GDDR6）過(guò)渡鋪平了道路，這些接口將推動(dòng)未來(lái)的數字創(chuàng )新。接下來(lái)那些具有更高容量和性能的10納米級（1z-nm）產(chǎn)品將增強三星在市場(chǎng)的業(yè)務(wù)競爭力，鞏固其在高端DRAM市場(chǎng)應用的領(lǐng)導地位，包括服務(wù)器、圖形和移動(dòng)設備等領(lǐng)域。
據報道，在與一家CPU制造商就8GB DDR4模塊進(jìn)行全面驗證后，三星將積極與全球客戶(hù)合作，向其提供一系列即將面世的內存解決方案。為了滿(mǎn)足目前的行業(yè)需求，三星計劃在其Pyeongtaek網(wǎng)站增加主要內存生產(chǎn)的比重，同時(shí)與全球IT客戶(hù)合作，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對最先進(jìn)DRAM產(chǎn)品日益增長(cháng)的需求。
01月07日 18:14
